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新聞資訊
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7 月 3 日消息，韓媒 The Elec 報(bào)道稱，三星電子 AVP 先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)團(tuán)隊(duì)目標(biāo)在今年四季度完成一項(xiàng)名為FOWLP-HPB 的移動(dòng)處理器用封裝技術(shù)的開發(fā)和量產(chǎn)準(zhǔn)備。隨著端側(cè)生成式 AI 需求的提升，如何解決影響移動(dòng)處理器性能釋放的過(guò)熱已成為一項(xiàng)重要課題。三星電子在 Exynos 2400 上導(dǎo)入了 FOWLP扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)，
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7月1日消息，近日，中國(guó)移動(dòng)旗下的中移芯昇發(fā)布了一款大容量低功耗+PUF+物理防側(cè)信道攻擊的安全MCU芯片“CM32M435R”，采用40納米功耗工藝，基于業(yè)界領(lǐng)先的高性能32位RISC-V內(nèi)核，綜合性能達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平。它有三個(gè)主要特點(diǎn)：一是高安全。雙核設(shè)計(jì)，安全子系統(tǒng)由安全內(nèi)核獨(dú)立控制，具備更高安全等級(jí)。同時(shí)支持物理防克隆P
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7月1日消息，雖然半導(dǎo)體市場(chǎng)需求已經(jīng)有所恢復(fù)，不過(guò)半導(dǎo)體硅片產(chǎn)業(yè)今年受到客戶因持續(xù)執(zhí)行長(zhǎng)合約采購(gòu)，造成庫(kù)存消化速度較慢，而終端需求包括智能手機(jī)、電腦等的回升速度較慢，所以上半年仍有庫(kù)存的影響。但隨著AI需求的增長(zhǎng)，包括AI需要使用的HBM（高帶寬內(nèi)存）以及先進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)改變，都需要增加使用半導(dǎo)體硅片，隨著庫(kù)存去
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7月1日，據(jù)外媒報(bào)道，谷歌即將在明年發(fā)布第十代的Pixel系列智能手機(jī)，屆時(shí)其搭載的Tensor G5處理器將會(huì)采用臺(tái)積電的3nm制程工藝。最新的消息顯示，Tensor G5處理器研發(fā)順利，即將進(jìn)入Tape-ou（流片）階段。據(jù)了解，Tensor G5是谷歌首款完全自研手機(jī)處理器，而前四代Tensor處理器都是三星Exynos修改，并三星代工生產(chǎn)。而最新
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近日，國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）最新公布的全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告（World Fab Forecast）顯示，隨著芯片需求不斷上升，將帶動(dòng)全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能持續(xù)成長(zhǎng)，預(yù)計(jì)2024年全球晶圓廠總產(chǎn)能將同比增長(zhǎng)6%，2025年將同比增長(zhǎng)7%，屆時(shí)將達(dá)到每月3370萬(wàn)片8英寸晶圓約當(dāng)量的歷史新高。從工藝節(jié)點(diǎn)來(lái)看，預(yù)計(jì) 5nm 及以下尖端制程工藝節(jié)
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6月25日消息，據(jù)臺(tái)媒報(bào)道，中國(guó)臺(tái)灣高雄市政府今上午召開“第79次環(huán)境影響評(píng)價(jià)審查委員會(huì)”，正式通過(guò)了對(duì)于臺(tái)積電高雄第三座2nm晶圓廠的環(huán)境影響評(píng)價(jià)審查。據(jù)介紹，環(huán)評(píng)審查委員會(huì)審議了臺(tái)積電“原中油公司高雄煉油廠土地新建半導(dǎo)體廠計(jì)劃環(huán)境影響說(shuō)明書”，該開發(fā)廠區(qū)包含生產(chǎn)區(qū)與行政區(qū)，面積17.22公頃。環(huán)評(píng)審查委員會(huì)認(rèn)
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6月20日消息，據(jù)彭博社爆料稱，美國(guó)國(guó)會(huì)議員近期又提出了新的議案，希望阻止接受美國(guó)聯(lián)邦芯片制造補(bǔ)貼資金的企業(yè)在美國(guó)的廠房使用中國(guó)制造的半導(dǎo)體設(shè)備，以限制中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的影響力。根據(jù)當(dāng)?shù)貢r(shí)間18月提議的“跨黨派法案”，計(jì)劃禁止英特爾與臺(tái)積電等接受美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》補(bǔ)貼的企業(yè)向中國(guó)與俄羅斯、朝鮮和伊朗擁有
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650V 智能電源模塊 （IPM）集成了德州儀器的氮化鎵 （GaN） 技術(shù)，助力家電和暖通空調(diào)（HVAC）系統(tǒng)逆變器達(dá)到99%以上效率。得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對(duì)外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達(dá) 55%。中國(guó)上海（2024 年 6 月 18 日）– 德州儀器 （TI）（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）推出了適用于
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國(guó)際半導(dǎo)體行業(yè)權(quán)威機(jī)構(gòu)SEMI（國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）發(fā)布的最新季度《世界晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告》顯示，為了跟上芯片需求持續(xù)增長(zhǎng)的步伐，全球半導(dǎo)體制造產(chǎn)能預(yù)計(jì)將在2024年增長(zhǎng)6%，并在2025年實(shí)現(xiàn)7%的增長(zhǎng)，達(dá)到每月晶圓產(chǎn)能3370萬(wàn)片的歷史新高（以8英寸當(dāng)量計(jì)算）?！?整體產(chǎn)能變化情況。圖源 SEMI行業(yè)習(xí)慣將7nm及以下的芯片劃分
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當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月12日，三星電子在美國(guó)硅谷舉辦“三星晶圓代工論壇2024（Samsung Foundry Forum,SFF）”，并公布了其晶圓代工技術(shù)戰(zhàn)略?；顒?dòng)中，三星公布了兩個(gè)新工藝節(jié)點(diǎn)，包括SF2Z和SF4U。其中，SF2Z是2nm工藝，采用背面電源輸送網(wǎng)絡(luò)（BSPDN）技術(shù)，通過(guò)將電源軌置于晶圓背面，以消除與電源線和信號(hào)線有關(guān)的互聯(lián)瓶頸，計(jì)劃在20
