上個(gè)月英特爾晶圓代工（Intel Foundry）宣布，已在美國(guó)俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)基地完成了業(yè)界首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)組裝工作。隨后開始在Fab D1X進(jìn)行校準(zhǔn)步驟，為未來(lái)工藝路線圖的生產(chǎn)做好準(zhǔn)備。

英特爾運(yùn)營(yíng)新模式

英特爾是少數(shù)采用IDM模式的芯片廠商，完整覆蓋了芯片從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)再到銷售的全過(guò)程，產(chǎn)品絕大部分也都是在內(nèi)部工廠制造。不同于英偉達(dá)、AMD等無(wú)工廠模式廠商只做芯片的設(shè)計(jì)，芯片制造環(huán)節(jié)完全交由代工廠完成；或者以臺(tái)積電、格芯為代表的代工廠模式，只負(fù)責(zé)芯片的代工及封裝環(huán)節(jié)。

從14nm到10nm的艱難量產(chǎn)，讓英特爾在2021年提出IDM2.0戰(zhàn)略，打破“自家芯片自家造”的傳統(tǒng)，將芯片生產(chǎn)獨(dú)立運(yùn)營(yíng)出來(lái)，以契合市場(chǎng)需求。在該戰(zhàn)略中，英特爾對(duì)外開放自己的代工服務(wù)，同時(shí)擴(kuò)大采用第三方代工產(chǎn)能：不僅可以委托外部芯片代工廠生產(chǎn)自己的芯片，比如預(yù)訂臺(tái)積電3nm的產(chǎn)能；也需要發(fā)展自己的芯片代工業(yè)務(wù)，成立英特爾代工服務(wù)IFS業(yè)務(wù)，重返芯片代工行業(yè)。

今年2月，英特爾還首次推出面向AI時(shí)代的系統(tǒng)級(jí)代工 —— 英特爾代工（Intel Foundry），提供了從工廠網(wǎng)絡(luò)到軟件的全棧式優(yōu)化。值得注意的是，從2024年第一季度開始，英特爾的財(cái)務(wù)架構(gòu)將拆分為兩大板塊：英特爾代工和英特爾產(chǎn)品。英特爾代工將成為一個(gè)獨(dú)立的運(yùn)營(yíng)部門，包括代工技術(shù)開發(fā)、代工制造和供應(yīng)鏈，以及代工服務(wù)（原 “英特爾代工服務(wù)”），擁有自己的損益表。而英特爾產(chǎn)品則將傳統(tǒng)的客戶端計(jì)算事業(yè)部（CCG）、數(shù)據(jù)中心和人工智能事業(yè)部（DCAI）以及網(wǎng)絡(luò)與邊緣事業(yè)部（NEX）全面整合。

新的運(yùn)營(yíng)模式在英特爾代工（由制造部門組成）和英特爾產(chǎn)品（由產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門組成）之間建立了代工關(guān)系，將按市場(chǎng)定價(jià)核算來(lái)自外部客戶和英特爾產(chǎn)品的收入以及過(guò)往分配給英特爾產(chǎn)品線部門的研發(fā)和制造成本。而通過(guò)將代工業(yè)務(wù)獨(dú)立核算，英特爾能夠更清晰地展示其在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)力和盈利能力，同時(shí)也能夠更好地與業(yè)界進(jìn)行業(yè)績(jī)對(duì)照，推動(dòng)各部門做出更好的決策。此外，這一調(diào)整還將大幅節(jié)約成本、提高運(yùn)營(yíng)效率和資產(chǎn)價(jià)值、增強(qiáng)成本競(jìng)爭(zhēng)力，有助于英特爾在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中重新奪回技術(shù)領(lǐng)先地位。

這不僅是一次簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)重組，更是對(duì)未來(lái)戰(zhàn)略方向的明確宣示，體現(xiàn)了英特爾向代工運(yùn)營(yíng)模式即Intel Foundry的轉(zhuǎn)變，實(shí)現(xiàn)到2030年成為全球第二大代工廠的目標(biāo)。目前英特爾正在不斷加強(qiáng)代工基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，計(jì)劃未來(lái)5年投資1000億美元擴(kuò)大先進(jìn)芯片制造能力。

盡管雄心勃勃，但由于四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)及路線演進(jìn)、生態(tài)構(gòu)建和產(chǎn)能擴(kuò)建等巨額的投入，英特爾披露其代工業(yè)務(wù)去年?duì)I收同比下降31.2%至189億美元，經(jīng)營(yíng)虧損70億美元，同比擴(kuò)大34.6%。對(duì)英特爾來(lái)說(shuō)，芯片制造能力是獨(dú)有的優(yōu)勢(shì)，但也意味著高投入和沉重的負(fù)擔(dān)，晶圓廠建置成本極高。根據(jù)機(jī)構(gòu)估算，建造一座月產(chǎn)量在5萬(wàn)片晶圓的2nm工廠需要的成本約為280億美元，而同樣產(chǎn)能的3nm工廠的成本約為200億美元。

2024年有可能將是英特爾芯片制造業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)虧損最嚴(yán)重的一年，從今年一季度財(cái)報(bào)來(lái)看，該業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)虧損25億美元，幾乎是上一季度的兩倍?！八哪晡鍌€(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃的啟動(dòng)成本達(dá)到頂峰，而且大部分產(chǎn)量都在EUV之前的工藝節(jié)點(diǎn)上，經(jīng)濟(jì)性缺乏競(jìng)爭(zhēng)力。然而隨著完成“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃，實(shí)現(xiàn)制程工藝重回領(lǐng)先地位，通過(guò)產(chǎn)量組合轉(zhuǎn)向領(lǐng)先的EUV節(jié)點(diǎn)，運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)率預(yù)計(jì)將得到提升。

去年末，ASML向英特爾交付了首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，型號(hào)為TWINSCAN EXE:5000的系統(tǒng)。High-NA EUV光刻技術(shù)將在先進(jìn)芯片開發(fā)和下一代處理器的生產(chǎn)中發(fā)揮關(guān)鍵作用，英特爾打算在Intel 14A工藝引入，最快會(huì)在2026年到來(lái)。

光刻設(shè)備中的NA代表數(shù)值孔徑表示光學(xué)系統(tǒng)收集和聚光的能力，數(shù)值越高，聚光的能力就越強(qiáng)。相比于當(dāng)前EUV設(shè)備的0.33數(shù)值孔徑，新一代High-NA EUV設(shè)備的NA值直接增加到了0.55，擁有1.7倍于目前0.33NA EUV光刻機(jī)的一維密度，在二維尺度上可實(shí)現(xiàn)190%的密度提升，從而實(shí)現(xiàn)更快的處理速度和更高的存儲(chǔ)容量。

此前有報(bào)道稱，一臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格大概為3.8億美元，是EUV（約1.83億美元）的兩倍多，ASML目前收到的訂單數(shù)量在10至20臺(tái)之間。目前ASML每年High-NA EUV光刻機(jī)的產(chǎn)能大概在5到6臺(tái)，今年生產(chǎn)的這些設(shè)備將全部運(yùn)往美國(guó)的芯片制造商，而英特爾已經(jīng)獲得了明年上半年之前生產(chǎn)的大部分High-NA EUV光刻機(jī)，這很大程度上得益于新設(shè)備出現(xiàn)時(shí)，英特爾選擇了搶先下單。三星和SK海力士則預(yù)計(jì)在明年下半年也將得到High-NA EUV光刻機(jī)。

2nm正成為關(guān)鍵戰(zhàn)場(chǎng)

2011年英特爾首發(fā)了FinFET工藝，22nm FinFET工藝當(dāng)時(shí)遠(yuǎn)超臺(tái)積電、三星的28nm，技術(shù)優(yōu)勢(shì)可謂是遙遙領(lǐng)先，然而在14nm節(jié)點(diǎn)之后，英特爾接連遭受了重創(chuàng)，無(wú)法跟上臺(tái)積電推出10nm、7nm和5nm工藝的節(jié)奏?，F(xiàn)在，英特爾正欲借2nm重返半導(dǎo)體代工領(lǐng)先地位，PC處理器Arrow Lake將第一個(gè)采用2nm節(jié)點(diǎn)的芯片，或?qū)⒊蔀榫A代工廠中最快使2nm芯片商業(yè)化的公司。

按照半導(dǎo)體行業(yè)的摩爾定律，集成電路可容納的晶體管數(shù)目，每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能相應(yīng)也增加一倍。臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音最近在IEEE網(wǎng)站上署名發(fā)表文章，把半導(dǎo)體行業(yè)過(guò)去50年縮小芯片尺寸的努力比作“在隧道中行走”。如今距離摩爾定律的極限越來(lái)越近，行業(yè)已經(jīng)走到隧道的盡頭，半導(dǎo)體技術(shù)將變得更加難以發(fā)展，2nm將會(huì)是芯片巨頭搶灘的關(guān)鍵一戰(zhàn)。

在芯片制程尺寸不斷縮小的過(guò)程中，芯片廠商需要解決的問(wèn)題更多，因此在新制程方面都需要改革。GAAFET架構(gòu)全稱全包圍柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管，與突破14nm制程以下沿用的FinFET架構(gòu)不同，GAAFET利用柵電極覆蓋電流通道的四個(gè)側(cè)面，而非傳統(tǒng)的三個(gè)，能夠讓晶體管繼續(xù)縮小下去而不漏電，從而允許在降低運(yùn)行功率的情況下顯著提高性能。類似具有里程碑意義的方案還包括晶圓背面供電，相較于傳統(tǒng)供電，這項(xiàng)技術(shù)能夠降低電壓，從而減少功耗，顯著提升芯片性能的表現(xiàn)。

為了滿足越來(lái)越高、越來(lái)越復(fù)雜的算力需求，同時(shí)提高能效比，先進(jìn)封裝在芯片制造中的作用正變得越來(lái)越關(guān)鍵，能夠提升芯片互連密度，在單個(gè)封裝中集成更多功能單元。先進(jìn)封裝也將支持英特爾的產(chǎn)品部門和代工客戶的異構(gòu)集成需求，讓來(lái)自不同供應(yīng)商、用不同制程節(jié)點(diǎn)打造的芯粒（小型的模塊化芯片）更好地協(xié)同工作，提高靈活性和性能，降低成本和功耗。目前英特爾的先進(jìn)封裝有兩大支柱，分別是EMIB和Foveros。

· EMIB簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是把不同的芯片放在同一塊平面上相互連接。傳統(tǒng)的2.5D封裝是在芯片和基板間的硅中介層上進(jìn)行布線，EMIB則是通過(guò)一個(gè)嵌入基板內(nèi)部的單獨(dú)的芯片完成互連，從而將芯片互連的凸點(diǎn)間距降低到45微米，改善了設(shè)計(jì)的簡(jiǎn)易性和成本。

· Foveros是英特爾的3D封裝技術(shù)，在原理上同樣并不復(fù)雜，就是在垂直層面一層一層地堆疊獨(dú)立的模塊，就像建高樓大廈一樣。而高樓需要貫通的管道用于供電供水，F(xiàn)overos就是通過(guò)復(fù)雜的硅通孔技術(shù)實(shí)現(xiàn)垂直層面的互連。

作為新《芯片法案》的一部分，美國(guó)政府將為英特爾提供85億美元的直接撥款（是目前發(fā)放的同類款項(xiàng)中最大的一筆）和110億美元的貸款，以及未來(lái)5年25%的稅收減免，用以推進(jìn)其在亞利桑那州、新墨西哥州、俄亥俄州和俄勒岡州的工廠建設(shè)；此外，在歐盟出臺(tái)歐洲版“芯片法案”的430億歐元補(bǔ)貼計(jì)劃中，英特爾也入選了首批名單，其在德國(guó)總投資300億歐元建設(shè)的新廠是該法案第一個(gè)落地項(xiàng)目。這些都為英特爾加碼晶圓代工注入了新動(dòng)能。

隨著以GPU為主的AI芯片需求快速膨脹，芯片產(chǎn)能瓶頸日益凸顯，比如英偉達(dá)主要通過(guò)臺(tái)積電代工，但受臺(tái)積電CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能限制，2023年下半年，英偉達(dá)就出現(xiàn)了高性能計(jì)算卡交貨周期普遍延長(zhǎng)至12-16個(gè)月的情況。這一背景下，英特爾布局芯片代工的重要性顯著。

英特爾加入AI算力戰(zhàn)爭(zhēng)

一直以來(lái)，無(wú)論是PC市場(chǎng)還是數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)，英特爾的優(yōu)勢(shì)均集中在CPU（中央處理器）領(lǐng)域。2021年，人工智能技術(shù)快速發(fā)展，Al服務(wù)器通常搭載以GPU（圖形處理器）為主的加速芯片，GPU開始成為全球數(shù)據(jù)中心增量市場(chǎng)的主角。根據(jù)Verified Market Research的數(shù)據(jù)，2021年全球GPU市場(chǎng)規(guī)模335億元，2028年全球GPU市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)到4774億元，數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)的主導(dǎo)玩家也成為了英偉達(dá)。

現(xiàn)在英特爾需要面對(duì)英偉達(dá)、AMD等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，前者有H100萬(wàn)、A100系列，后者有新的數(shù)據(jù)中心加速器產(chǎn)品MI300X。除此之外，亞馬遜AWS和微軟在內(nèi)的一些全球最大的科技公司，正在設(shè)計(jì)自己的處理器，讓數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)加劇。從最新布局來(lái)看，英特爾仍將加速押注數(shù)據(jù)中心：4月份，發(fā)布性能最強(qiáng)的新一代Gaudi 3 AI 加速芯片，對(duì)標(biāo)英偉達(dá)H100。

Gaudi 3 AI芯片采用臺(tái)積電5nm工藝，由64個(gè)AI定制和可編程TPC和8個(gè)MME組成，每個(gè)MME都能夠執(zhí)行64000個(gè)并行運(yùn)算，支持128GB HBMe2內(nèi)存容量、3.7TB內(nèi)存帶寬和96MB板載靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（SRAM）。相比上代產(chǎn)品，英特爾Gaudi 3帶來(lái)4倍（400%）的BF16 AI計(jì)算能力提升，1.5倍的內(nèi)存帶寬以及3倍的網(wǎng)絡(luò)帶寬提升。同時(shí)，在AI模型算力中，相比于英偉達(dá)H100 GPU，Gaudi3 AI芯片的模型訓(xùn)練速度、推理速度分別提升40%和50%，平均性能提高50%，能效平均提高40%，而成本僅為H100的一小部分。

從整體路線圖來(lái)看，AI PC、Edge AI（邊緣）、Data Center AI（數(shù)據(jù)中心）將成為英特爾三大重要的計(jì)算生態(tài)系統(tǒng)，比英偉達(dá)覆蓋面積更廣，加上其開放、可擴(kuò)展的軟件和算法特性，廣泛適用于多個(gè)AI領(lǐng)域，從而推動(dòng)英特爾持續(xù)為企業(yè)客戶打造全新AI方案。英特爾正逐步構(gòu)建AI領(lǐng)域的算力基礎(chǔ)設(shè)施生態(tài)，全面挑戰(zhàn)英偉達(dá)以及現(xiàn)有AI芯片市場(chǎng)格局，希望利用長(zhǎng)期的AI技術(shù)積累，通過(guò)開放生態(tài)系統(tǒng)的力量，乘上AI熱潮。

· 英特爾宣布將推出下一代酷睿Ultra客戶端處理器家族（代號(hào)Lunar Lake），將具備超過(guò)100 TOPS平臺(tái)算力，以及在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理單元（NPU）上帶來(lái)超過(guò)46 TOPS的算力，從而為下一代AI PC提供強(qiáng)大支持。據(jù)悉，英特爾預(yù)計(jì)將于2024年出貨4000萬(wàn)臺(tái)AI PC設(shè)備。

· 英特爾還發(fā)布新的Edge芯片產(chǎn)品，包括酷睿TM Ultra、酷睿TM、凌動(dòng)處理器以及面向Edge的英特爾ArcTM GPU，預(yù)計(jì)所有新品將于本季度上市，應(yīng)用于包括零售、工業(yè)制造、醫(yī)療保健等關(guān)鍵領(lǐng)域，并將于今年獲得英特爾Tiber邊緣平臺(tái)的支持。另外，英特爾還發(fā)布Tiber業(yè)務(wù)解決方案組合，以簡(jiǎn)化企業(yè)對(duì)生成式AI軟件服務(wù)的部署工作，預(yù)計(jì)Tiber方案將于今年第三季度全面推出。

而最近英偉達(dá)基于BlackWell GPU架構(gòu)發(fā)布的B100又進(jìn)行了一輪大幅的升級(jí)，在性能方面遠(yuǎn)勝Gaudi 3。那么，英特爾能以Gaudi 3真正突圍嗎？其實(shí)，以英特爾當(dāng)前的業(yè)績(jī)表現(xiàn)來(lái)看，不追求前沿配置，而是在控制成本的前提下大幅提升芯片性能，可能是更好的產(chǎn)品策略。若英特爾不惜一切進(jìn)行追趕，成本壓力勢(shì)必會(huì)大幅攀升，回正利潤(rùn)需要更加漫長(zhǎng)周期。因此，通過(guò)洞察市場(chǎng)痛點(diǎn)，打造差異性產(chǎn)品，或許是更加穩(wěn)妥的選擇?？梢钥吹剑⑻貭栆呀?jīng)成功拿下全球首臺(tái)高數(shù)值孔徑的EUV光刻機(jī)，隨著時(shí)間的推移，這或?qū)⒊掷m(xù)降低英特爾的制造成本。

不過(guò)，從行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的持續(xù)以及芯片代工“重資產(chǎn)、長(zhǎng)周期”的產(chǎn)業(yè)屬性來(lái)看，英特爾還有諸多硬仗要打。按照英特爾制程路線圖上的時(shí)間表來(lái)看，會(huì)在2025年通過(guò)Intel 18A“翻盤”，但是制程路線圖上的時(shí)間表只是“工藝的時(shí)間表”，而不是產(chǎn)品落地的時(shí)間表，英特爾的目標(biāo)能否實(shí)現(xiàn)還是要看采用相關(guān)工藝的產(chǎn)品何時(shí)落地。其次，英特爾代工新模式在服務(wù)外部客戶、開拓更大市場(chǎng)上需要一定適應(yīng)期，才能真正成為尖端芯片代工市場(chǎng)的重要參與者。