全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）已將TOLL（TO-LeadLess）封裝的650V耐壓GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量產(chǎn)。TOLL封裝不僅體積小，散熱性能出色，還具有優(yōu)異的電流容量和開關(guān)特性，因此在工業(yè)設備、車載設備以及需要支持大功率的應用領(lǐng)域被越來越多地采用。此次，ROHM將封裝工序外包給了作為半導體后道工序供應商（OSAT）擁有豐富業(yè)績的日月新半導體（威海）有限公司（ATX SEMICONDUCTOR (WEIHAI) CO., LTD.，以下簡稱“ATX”）。

為了實現(xiàn)無碳社會，“提高用電量占全球一大半的電源和電機的效率”已成為全球性的社會問題。功率元器件是提高其效率的關(guān)鍵，SiC（碳化硅）、GaN等新材料有望進一步提高各種電源的效率。ROHM于2023年4月將650V耐壓的第1代GaN HEMT投入量產(chǎn)，并于2023年7月將柵極驅(qū)動器和650V耐壓GaN HEMT一體化封裝的Power Stage IC投入量產(chǎn)。為了應對大功率應用中的進一步小型、高效率化的市場要求，ROHM采取在以往的DFN8080封裝基礎上追加的形式來強化650V GaN HEMT的封裝陣容。在TOLL封裝中內(nèi)置第2代元件并實現(xiàn)產(chǎn)品化。

新產(chǎn)品在TOLL封裝內(nèi)置第2代GaN on Si芯片，在與導通電阻和輸入電容相關(guān)的器件性能指標 (RDS（ON）×Qoss*2) 方面，數(shù)值表現(xiàn)達到業(yè)界先進水平。這將有助于需要高耐壓且高速開關(guān)的電源系統(tǒng)進一步節(jié)能和小型化。新產(chǎn)品已于2024年12月投入量產(chǎn)（樣品價格 3,000日元/個，不含稅），并已開始電商銷售，通過電商平臺均可購買。

關(guān)于新產(chǎn)品的量產(chǎn)，ROHM利用其在垂直統(tǒng)合型一體化生產(chǎn)體系中所積累的元器件設計技術(shù)和自有優(yōu)勢，進行了相關(guān)的設計和規(guī)劃，并于2024年12月10日宣布作為與臺積電（Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited，以下簡稱“TSMC”）合作的一環(huán)，前道工序在TSMC生產(chǎn)，后道工序在ATX生產(chǎn)。另外，ROHM還計劃與ATX合作生產(chǎn)車載GaN器件。預計從2026年起，GaN器件在汽車領(lǐng)域的普及速度將會加快，ROHM計劃在加強內(nèi)部開發(fā)的同時，進一步加深與這些合作伙伴之間的關(guān)系，以加快車載GaN器件投入市場的速度。

日月新半導體（威海）有限公司董事兼總經(jīng)理廖弘昌表示：“ROHM擁有從晶圓制造到封裝的全部生產(chǎn)設備，并擁有非常先進的制造技術(shù)，很高興ROHM將部分生產(chǎn)外包給我們。我們從2017年開始與ROHM進行技術(shù)交流，目前正在繼續(xù)探索更深合作的可能性。ATX在GaN器件后道工序制造方面的實際業(yè)績和技術(shù)實力得到ROHM的認可，從而促成了本次合作。雙方還計劃針對ROHM目前正在開發(fā)的車載GaN器件也開展合作，未來也會繼續(xù)加深雙方的合作伙伴關(guān)系，以促進各領(lǐng)域的節(jié)能，為實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會做出貢獻。”

ROHM Co., Ltd.  AP生產(chǎn)本部本部長藤谷諭表示：“非常高興ROHM 的TOLL 封裝650V GaN HEMT能夠以令人滿意的性能投入量產(chǎn)。ROHM不僅提供GaN器件，還提供其與融入自身模擬技術(shù)優(yōu)勢的IC等元器件相結(jié)合的電源解決方案，而且還會再將這些設計過程中積累的專業(yè)知識和理念應用到元器件的設計中。通過與ATX等技術(shù)實力雄厚的OSAT合作，ROHM不僅能夠跟上快速增長的GaN市場的步伐，同時還能不斷向市場推出融入ROHM優(yōu)勢的產(chǎn)品。未來，我們將繼續(xù)通過提高GaN器件的性能，促進各種應用產(chǎn)品的小型化和效率提升，為豐富人們的生活貢獻力量?！?/p>

＜什么是EcoGaN?＞ 

EcoGaN?是通過更大程度地發(fā)揮GaN的性能，助力應用產(chǎn)品進一步節(jié)能和小型化的ROHM GaN器件，該系列產(chǎn)品有助于應用產(chǎn)品進一步降低功耗、實現(xiàn)外圍元器件的小型化、減少設計工時和元器件數(shù)量等。

?EcoGaN?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。

＜產(chǎn)品陣容＞

＜應用示例＞

適用于服務器、AC適配器（USB充電器）、通信基站電源、工業(yè)設備電源、PV逆變器、ESS（Energy Storage System / 儲能系統(tǒng)）等輸出功率500W～1kW級的廣泛電源系統(tǒng)。

＜電商銷售信息＞

開始銷售時間：2025年1月起

新產(chǎn)品在電商平臺將逐步發(fā)售。

?產(chǎn)品型號：GNP2070TD-ZTR

＜關(guān)于日月新半導體（威海）有限公司＞

ATX位于中國山東省威海市，是從事功率元器件的組裝和測試的OSAT企業(yè)。公司可以生產(chǎn)MOSFET、IGBT、SiC、GaN等50多種封裝，年產(chǎn)能超過57億枚。目前產(chǎn)品已被廣泛應用于工業(yè)設備、車載設備、可再生能源（太陽能發(fā)電等）、消費電子等領(lǐng)域，尤其是在電動汽車控制領(lǐng)域，在國際品牌市場擁有很高的市場份額。

ATX與全球排名前十的功率元器件企業(yè)建立了長期且緊密的合作關(guān)系，是一家擁有自主知識產(chǎn)權(quán)以及基于這些知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)的、下一代半導體元器件開發(fā)方面的先進企業(yè)。

如需了解更多信息，請訪問ATX官網(wǎng)： http://www.atxwh.com

＜術(shù)語解說＞

*1) GaN HEMT

GaN（氮化鎵）是一種用于新一代功率元器件的化合物半導體材料。與普通的半導體材料——Si（硅）相比，具有更優(yōu)異的物理性能，目前，因其具有出色的高頻特性，越來越多的應用開始采用這種材料。

HEMT是High Electron Mobility Transistor（高電子遷移率晶體管）的英文首字母縮寫。

*2) RDS（ON）×Qoss

評估元器件性能的指標，Qoss是指從輸出端看的漏極源極間的總電荷量。另外，RDS（ON）（導通電阻）是使MOSFET啟動（導通）時漏極和源極之間的電阻值。該值越小，運行時的損耗（電力損耗）越少。這兩者相乘得到的值越低，開關(guān)工作效率越高，開關(guān)損耗越少。