新聞資訊
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468 次近日，浙大杭州科創(chuàng)中心官微發(fā)文稱，浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心（簡稱科創(chuàng)中心）先進半導(dǎo)體研究院-乾晶半導(dǎo)體聯(lián)合實驗室（簡稱聯(lián)合實驗室）首次生長出厚度達100 mm的超厚碳化硅單晶。
文章指出，為提升碳化硅晶體厚度，聯(lián)合實驗室開展了提拉式物理氣相傳輸（Pulling Physical Vapor Transport, PPVT）法生長超厚碳化硅單晶的研究（圖1a）。
source：先進半導(dǎo)體研究院
采用提拉式物理氣相傳輸法，聯(lián)合實驗室成功生長出直徑為6英寸（即150mm）的碳化硅單晶，其厚度突破了100mm。測試加工而得的襯底片的結(jié)果顯示，該超厚碳化硅單晶具有單一的4H晶型（圖2a）、結(jié)晶質(zhì)量良好（圖2b），電阻率平均值不超過～ 30 mΩ·cm。
source：先進半導(dǎo)體研究院
發(fā)布日期: 2024-05-17
發(fā)布日期: 2024-04-17
發(fā)布日期: 2025-01-09
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發(fā)布日期: 2024-07-08
發(fā)布日期: 2024-06-06
發(fā)布日期: 2024-10-31
發(fā)布日期: 2026-01-22
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