新聞資訊
8 次1月17日消息，韓國KAIST學者Kim Jung-Ho昨日在一場論壇研討會上表示，盡管HBM高帶寬內存從初代推出到走至半導體產業(yè)舞臺中央花了近10年的時間，但HBF高帶寬閃存的這一過程將更為迅速。
一方面，幾大存儲原廠在開發(fā)HBM時積攢了大量堆棧構建方面的設計和工藝技術；另一方面，AI的爆炸式發(fā)展導致HBM在容量上已難以滿足AI負載的數據需求。
繼SK海力士后，三星電子也加入了閃迪首創(chuàng)的HBF技術陣營，三方正合作實現(xiàn)HBF的標準化。業(yè)內人士預測，HBF的帶寬將超過1638GB/s（注：相當于PCIe 6.0×4的50倍），容量則將達到512GB。
在商業(yè)化進程上，SK海力士有望在本月晚些時候展示HBF的早期測試版本，三星電子與閃迪正向2027年底~2028年初應用于英偉達、AMD、谷歌的AI XPU這一目標邁進。而HBF的廣泛應用則將等到HBM6發(fā)布，屆時單個基礎裸片將集成多組存儲堆棧。
Kim Jung-Ho認為，HBM與HBF的關系猶如書房與圖書館，前者容量較小、應用更為方便，后者容量更大、延遲更高；針對NAND閃存與DRAM內存的底層區(qū)別，軟件工程師需對操作HBF中數據的算法進行優(yōu)化，盡量減少寫入次數。
572 次
572 次
524 次
3 次
發(fā)布日期: 2024-07-08
發(fā)布日期: 2024-07-10
發(fā)布日期: 2023-12-07
發(fā)布日期: 2024-05-09
發(fā)布日期: 2024-04-09
發(fā)布日期: 2024-05-06
發(fā)布日期: 2024-01-10
發(fā)布日期: 2023-11-20
發(fā)布日期: 2026-01-22
發(fā)布日期: 2026-01-22
發(fā)布日期: 2026-01-22
發(fā)布日期: 2026-01-22
發(fā)布日期: 2026-01-22
